- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
News
Pii Wafer
Materia Pii solida materia est cum semiconductoribus quibusdam electricis proprietatibus et stabilitate corporis, et substratum subsidium praebet pro processu vestibulum processus integrato subsequenti. Materia praecipua est in gyros integros silicon-basi. Plus quam 95% machinarum semiconductorium e......
Lege plus
Gallium Nitride Epitaxial lagana: Introductio ad Processum Fabricationis
Incrementum laganum Gallium Nitride (GaN) epitaxiale laganum processum complexum est, saepe duplicem modum adhibens. Haec methodus complures gradus criticos implicat, in quibus summus temperatus coquens, iacuit quiddam incrementum, recrystallizationem, furnum. Temperatura per hos gradus adamussim mo......
Lege plus
Quid interest inter epitaxialem et diffusam Wafers
Utraque lagana epitaxialia et lagana diffusa sunt materiae essentiales in fabricandis semiconductoribus, sed signanter differunt in processibus fabricandis et applicationibus target. Articulus hic in discrimina clavis lagani specierum inseritur.
Lege plus
Pii Carbide Substrate Core Processu Flow
Pii carbide subiecta est semiconductor mixtus, una materia crystallina ex duobus elementis composita, carbonis et pii. Notas habet magnae bandgap, altae conductivity scelerisque, magnae vires agri naufragii critici, et altae electronicae satietatem egisse rate.
Lege plus
