PSS Etching Portitorem Tray ad LED

In Semicorex PSS Etching Carrier Tray designavimus ad DUXERIT specialiter ambitus asperos requisitos ad incrementi epitaxialem et laganum processuum tractantem. Noster tabellarius ultra-purus graphitus est specimen pro phases tenuis depositionis sicut MOCVD, epitaxiae susceptores, subcinericium vel suggestuum satellitem, et laganum processus tractandi ut engraving. SIC tabellarius iactaret altum calorem et corrosionem resistentiam habet, optimum calorem proprietatum distributionis, ac magna conductivity scelerisque. Our PSS Etching Carrier Tray for LED is cost-effective and offer a good price advantage. Obsidemus multis Europae et Americanis mercatis et expectamus ut diuturnum tempus socium tuum in Sinis fieri expectamus.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex scriptor PSS Etching Carrier Tray pro LED machinatus est pro asperis ambitibus requisitis ad incrementi epitaxialem et laganum processuum tractantem. Noster tabellarius ultra-purus graphite destinatur ut lagana in bracteis depositionis graciles sustineant sicut MOCVD et epitaxy susceptores, subcinericii vel suggesti satellites. SIC tabellarius iactaret altum calorem et corrosionem resistentiam habet, optimum calorem proprietatum distributionis, ac magna conductivity scelerisque. Nostra producta sunt cost-effectiva, et bono pretio commodo. Obsidemus multis Europae et Americanis mercatis et expectamus ut diuturnum tempus socium tuum in Sinis fieri expectamus.

Contactus nos hodie ut plura discamus de nostro PSS Etching Carrier Tray pro LED.

Parametri PSS Etching Portitorem Tray pro LED

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Density	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300