Azyma portantium adhibita in incremento epixiali et lagano processui tractandi temperaturae altae et durae chemicae purgatio pati debet. Semicorex SiC Coated PSS Etching Portitorem machinatum nominatim ad has applicationes apparatum epitaxy postulans. Producta nostra bona pretia commoda habent et multos mercatus Europae et Americanos operiunt. Expectamus ad longum tempus socium in Sinis fieri.
Non solum ad graciles cinematographici cinematographici depositiones ut epitaxiam vel MOCVD, vel laganum tractantem processus ut engraving, Semicorex commeatus ultra-puram SiC Coated PSS Etching Portitorem lagana sustinebat. In plasma etch vel scyphus siccus, hoc apparatu, epitaxy susceptores, subcinericius vel suggestuum satellitium MOCVD, primum in ambitu depositionis subiciuntur, ita resistentiam magno calore et corrosione habet. SiC Coated PSS Etching Portitorem etiam magnum scelerisque conductivity, et caloris distributio proprietates excellentes.
SiC obductis PSS (Patterned Sapphire Substratum) etching carriers in fabricatione DUXERIT (Lumen Diode Emittens) machinas adhibentur. Tabellarius PSS etch subiecta est pro augmento tenui cinematographici gallii nitridis (GaN) quae structuram LED format. Tabellarius PSS etch removetur a structura LED utens processu humido etching, relictis superficie exemplaris quae lucem extractionis efficientiae LED auget.
Parametri Sic Coated PSS Etching Portitorem
Specificationes principales de CVD-SIC Coating |
||
Sic-CVD Properties |
||
Crystal Structure |
FCC phase |
|
Densitas |
g/cm |
3.21 |
duritia |
Vickers duritia |
2500 |
Frumenti Size |
m |
2~10 |
Puritas chemica |
% |
99.99995 |
Calor Capacitas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimatio Temperature |
℃ |
2700 |
Fortitudo Felix |
MPa (RT 4-punctum) |
415 |
Youngâ s Modulus |
Gpa (4pt bend, 1300â) |
430 |
Scelerisque Expansion (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Scelerisque conductivity |
(W/mK) |
300 |
Features altae castitatis SiC Coated PSS Etching Portitorem
- Tum graphite substrato et carbidi pii crassitudine densitatem habent et bonam partem tutelae in cultura caliditas et corrosiva operandi in ambitu ludere possunt.
- Silicon carbide obductis susceptoribus adhibitis pro incremento crystalli unius habet praealtissimae superficiei planiciem.
- Reducere differentiam in expansione scelerisque coefficientis inter graphite substrato et carbide pii strato, efficaciter meliores compages vires ne crepuit et delaminatio.
- Tam graphite substrato et carbide pii strato altam conductivity scelerisque habent, ac proprietates excellentes caloris distributio.
- Maximum punctum liquescens, caliditas oxidationis resistentia, corrosio resistentia.