> Products > Pii Carbide Coated > Barrel Susceptor > SiC Coated Ferocactus Susceptor pro Epitaxial Augmentum

Products

New Products

SiC Coated Ferocactus Susceptor pro Epitaxial Augmentum

Cum superiore densitate et scelerisque conductivity, Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor pro Epitaxial Augmentum est specimen electionis usui in ambitibus summus temperatus et corrosivus. Obductis cum puritate SiC summus, hoc graphite productum optimum tutelam et calorem praebet distributionem, certa et constanti effectui in applicationibus fabricandis semiconductoris praestandi.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor pro Epitaxial Incrementum est perfecta electio ad formationem epixialem in lagana semiconductoris, propter excellentem scelerisque conductivity et caloris proprietates distributio. Silicon eius carbida coatingis superiorem tutelam praebet in ambitus etiam gravissimos temperatus et mordax.

Apud Semicorex nos intendunt ut summus qualitas, sumptus efficens productis emptoribus nostris praebeatur. Noster SiC Coated Barrel Susceptor pro Epitaxial Augmentum pretio pretio habet et multis mercatibus Europaeis et Americanis emitur. Contendunt nos ut particeps tua sit longi temporis, tradens qualitatem constantem productorum et servitiorum eximiorum emptorum.

Parametri Sic Coated Ferocactus Susceptor pro Epitaxial Augmentum

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Density	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300

Features of Sic Coated Ferocactus Susceptor pro Epitaxial Augmentum

- Tum graphite substrato et carbidi pii strato densitatem bonam habent et bonam munus tutelae in cultura caliditatis ac mordax operandi ambitibus ludere possunt.

- Silicon carbide obductis susceptoribus adhibitis pro incremento crystalli unius habet praealtissimae superficiei planiciem.

- Reducere differentiam in expansione scelerisque coëfficientis inter graphite substrato et carbide pii strato, efficaciter meliores compages vires ne crepuit et delaminatio.

- Tam graphite substratum et carbide pii stratum altum scelerisque conductivity habent, et caloris excellentia proprietates distributio.

- Maximum punctum liquescens, caliditas oxidationis resistentia, corrosio resistentia.