> Products > Pii Carbide Coated > Barrel Susceptor > SiC Coated Barrel Susceptor pro Wafer Epitaxial

Products

New Products

SiC Coated Barrel Susceptor pro Wafer Epitaxial

Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor pro Wafer Epitaxialis est perfecta electio applicationum pro uno crystallo augmento, propter suam superficiem eximiam planiciem et qualitatem SiC efficiens. Summum eius punctum liquescens, resistentia oxidatio, resistentia et corrosio eam optimam electionem faciunt ad usum in ambitus magnos temperaturam et corrosivam.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Exspectans graphite susceptorem cum eximia caloris distributione et conductivity scelerisque? Ne amplius vide quam Semicorex SiC Coated Barrel Susceptorem pro Wafer Epitaxiale, cum summa puritate SiC obductis in epitaxialibus processibus et aliis applicationibus semiconductoris fabricandis.
Apud Semicorex nos intendunt ut summus qualitas, sumptus efficens productis emptoribus nostris praebeatur. Noster SiC Coated Barrel Susceptor pro Wafer Epitaxial pretium commodum habet et multis mercatibus Europaeis et Americanis exportatur. Contendunt nos ut particeps tua sit longi temporis, tradens qualitatem constantem productorum et servitiorum eximiorum emptorum.

Parameters of SiC Coated Ferocactus Susceptor pro Wafer Epitaxial

Specificationes principales de CVD-SIC Coating .
Sic-CVD Properties
Crystal Structure	FCC β phase
Densitas	g/cm	3.21
duritia	Vickers duritia	2500
Frumenti Size	μm	2~10
Puritas chemica	%	99.99995
Calor Capacity	J kg-1 K-1	640
Sublimatio Temperature	℃	2700
Fortitudo Felix	MPa (RT 4-punctum)	415
Modulus	Gpa (4pt bend, 1300℃)	430
Scelerisque Expansion (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Scelerisque conductivity	(W/mK)	300

Features of Sic Coated Ferocactus Susceptor pro Wafer Epitaxial

- Tum graphite substrato et carbidi pii strato densitatem bonam habent et bonam munus tutelae in cultura caliditatis ac mordax operandi ambitibus ludere possunt.

- Silicon carbide obductis susceptoribus adhibitis pro incremento crystalli unius habet praealtissimae superficiei planiciem.

- Reducere differentiam in expansione scelerisque coëfficientis inter graphite substrato et carbide pii strato, efficaciter meliores compages vires ne crepuit et delaminatio.

- Tam graphite substratum et carbide pii stratum altum scelerisque conductivity habent, et caloris excellentia proprietates distributio.

- Maximum punctum liquescens, caliditas oxidationis resistentia, corrosio resistentia.