Sinae SiC Substratum Manufacturers, Suppliers, Factory

Tenue segmentum materiae semiconductoris ut laganum appellatur, quod ex purissima materia unius crystalli conficitur. In processu Czochralski, regulae cylindricae semiconductoris monocrystallini valde puri, semen crystallum ex liquefactione trahens efficitur.

Pii Carbide (SiC) eiusque polytypa pars civilis cultus humani diu fuerunt; Studium technicum huius duri ac stabilis compositionis anno 1885 et 1892 peractum est a Cowless et Acheson ad proposita molendi et secandi, ad suam fabricam permagnam ducentem.

Praeclara corporis et chemicae proprietates carbidam silicon (SiC) candidatum eminentem pro variis applicationibus faciunt, inclusa summus temperatus, summus potentiae ac frequentia et machinae optoelectronic altae, structuralem componentem in fusione reactorum, materia cladding gasi refrigerata. reactoria fissionis, et matrix iners pro transmutatione Pu. Genera poly-SiC diversa ut 3C, 6H, 4H late adhibita sunt. Ion implantatio ars critica est ad dopantes selective introducendos ad machinas Si-basis producendas, ad p-typum fabricandum et n-type uncta SiC.

reguladeinde divisa est ad formam pii carbide SiC lagana.

Pii Carbide Material Properties

Genera SiC lagana

Tria genera:n-genus sic laganum, p-genus sic laganumetalta puritas semi-insulating sic laganum. Doping refers to ion implantatio quae sordes in crystallum Pii introducit. Hi dopantes permittunt atomos cristallinas vincula ionica formare, semel crystallum intrinsecum extrinsecum faciens. Hic inducit duo genera immunditiarum; N-typus et P-typus. Item genus' dependet a materiis quae reactionem chemica creandi sunt. Discrimen inter N-type et P-typum laganum SiC laganum est materia primaria adhibita ad creandum reactionem chemica durante doping. Secundum materiam adhibitam, orbitalis exterioris vel quinque vel tres electrons habebit unum negando (N-type) et unum positive accusatum (P-type).

N-typus lagana SiC maxime adhibentur in novis vehiculis energiae, summus intentione transmissionis et substationis, bona alba, impedimenta alta velocitatis motorum, inverters photovoltaici, pulsus potentiae commeatus, etc. Commoda habent reducendi apparatum industriae detrimentum, augendo. armorum commendatio, deminutio armorum magnitudo et de meliori instrumento perficiendi, et commoda irreparabilis habent in fabricandis viribus electronicis machinas.

Princeps castitatis semi-insulating SiC laganum principaliter adhibetur ut subiectum virtutis altae RF excogitavit.

Epitaxy - III-V Depositio Nitride

SiC, GaN, AlxGa1-xN et InyGa1-yN stratis epitaxialibus SiC substrati vel sapphiri substratis.