Pii Carbide Cubiculum Lid in cristallo augmento adhibitum et laganum processui tractandi temperaturae altae et durae chemicae purgatio pati debet. Semicorex est magna fabrica et elit Siliconis Carbide Coated Graphite Susceptor in Sinis. Producta nostra bona pretia commoda habent et multos mercatus Europae et Americanos operiunt. Expectamus ad longum tempus socium decet.
Pii Carbide Cubiculum Lid in singulis cristalli incrementis adhibitum vel MOCVD, vel laganum processus tractandi temperaturae altae et dura chemica purgatio sustinenda est. Semicorex suppeditat summus puritatis pii carbidi (SiC) constructione graphite obductis resistentiam caloris superiori praebet, etiam uniformitas thermarum ad crassitudinem epi- strati consistentis et resistentiam, ac resistentiam chemicam durabilem. Durant experiri complexionem gasorum praecursoris volatilis, plasmatis et caliditatis.
Nostra Silicon Carbide Cubiculum Lid destinatur ad optimam laminae gasi fluens exemplar consequendum, aequabilitatem profile scelerisque procurans. Hoc iuvat ne quis contagione vel immunditiae diffusionem praestet, ut incrementum epitaxialis summus qualitas super spumam laganum.
Contactus nos hodie ut plura discamus de Cubiculo nostro Silicon Carbide Lid.
Parametri Siliconis Camerae Carbide Lid
Specificationes principales de CVD-SIC Coating . |
||
Sic-CVD Properties |
||
Crystal Structure |
FCC phase |
|
Densitas |
g/cm |
3.21 |
duritia |
Vickers duritia |
2500 |
Frumenti Size |
m |
2~10 |
Puritas chemica |
% |
99.99995 |
Calor Capacitas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimatio Temperature |
℃ |
2700 |
Fortitudo Felix |
MPa (RT 4-punctum) |
415 |
Youngâ s Modulus |
Gpa (4pt bend, 1300â) |
430 |
Scelerisque Expansion (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Scelerisque conductivity |
(W/mK) |
300 |
Features of Silicon Carbide Cubiculum Lid
Ultra-plana facultates
Speculum Poloniae
 eximia lux pondere
Maximum rigorem
Minimum scelerisque expansion
Extremum lapsum resistentia