Azymum Processus calefacientis

Processus Heater semicorex Wafer a Silicon Carbide Coating (SiC) graphite factus, litura applicatur methodo CVD ad specificos gradus densitatis graphite altae, ut operari possit in fornacem calidissimam cum super 3000 °C in atmosphaera iners; 2200°C in vacuo.
Proprietates propriae et massae laganae Processus Heater humilis materias rates calefactionis celeriter permittunt, aequabili temperie distributione ac praecisione in dominio praestans. In comparatione ad alias materias superficies Silicon Carbide plana manet propter suam emissionem scelerisque humilis etiam cum velocibus mutationibus in temperie operata est. Lamellae calidae aptissima sunt ad processum postulandum in systematis processus semiconductoris.
Apud Semicorex nos intendunt ut summus qualitas, sumptus efficens productis emptoribus nostris praebeatur. Nostra Wafer Processus Heater pretio commodum habet et multis mercatus Europaeis et Americanis exportatur. Contendunt nos ut particeps tua sit diuturnum, tradens qualitatem constantem productorum et eximii servitii emptoris.

Parametri lagani Processus Heater

Features of laganum Processus calefacientis

— CVD SiC coatings ad meliorem vitam.
- High temperies resistentia, corrosio resistentia, longa vita servitii, laganum qualitatem emendare potest et cedere.
- Maxime humilis coëfficiens dilatationis scelerisque, caliditas resistentiae, altum gerunt resistentiam, bonam velit, bonam stabilitatem chemicam, ac prope purpureum (rubrum) visibile penetrationem.

Praebere possumus anti-oxidationem et longam vitae spatium graphite uasculum, graphitum formam et omnes partes graphitae calefacientis.