TaC graphite coating creatum est superficies graphitae altae puritatis substratae cum strato subtilissimo carbidi tantali per processum proprietatis chemici Vaporis Depositionis (CVD).
Tantalum carbide (TaC) compositum est quod ex Tantalo et carbone constat. Habet metallicum electricam conductivity et punctum extraordinarium liquationis, eamque facit refractariam materiam ceramicam propter fortitudinem, duritiem, calorem et vim resistentiae suae notae. Punctum Tantalum Carbides liquescens cacumina circiter 3880°C puritate fretus et unum punctum ex altissimis punctis liquescens inter composita binaria habet. Hoc modo carum facit, cum temperatura superior petit facultatem perficiendi facultatem adhibitam in semiconductoribus compositorum processuum epitaxialem ut MOCVD et LPE.
Materia notitia Semicorex TaC Coating
Projects |
Morbi laoreet |
Densitas |
14.3 (gm/cm³) |
Emissio |
0.3 |
CTE (×10-6/K) |
6.3 |
Duritia (HK) |
2000 |
Resistentia (Ohm-cm) |
1×10-5 |
Scelerisque Stabilitas |
<2500℃ |
Graphite Dimension Mutatio |
-10 ~ -20um (referat valorem) |
Coing Crassitudo |
≥20um valorem typicum(35um±10um) |
|
|
Quod supra sunt typicam values |
|
Semicorex MOCVD Susceptor cum TaC Coating est incisurae componentium componentium adamussim effictum ad optimam observantiam in processibus epitaxis semiconductoris intra systemata MOCVD. Semicorex immobilis est in officio nostro tradendi fructus superiores in pretiis competitive. In Sinis societatem perpetuam constituere cupimus.
Lege plusMitte InquisitionemSemicorex CVD TaC Coated Ringo regnat criticum in processu semiconductori, zenith figuratis materiae modernae machinalis. Artificium exercendum in gravissimis ambitibus ubi praecisio et fides dominatur, hic anulus involvit fusionem technicarum aciei efficiens cum scientia materiae mollissimae. Semicorex stabiliter tradit summos ordines productos in competitive pretia, et avide praeveniemus cum in Sinis societatem diuturnam fabricandam.
Lege plusMitte InquisitionemSemicorex TaC Coated Susceptor Planetarius est valde peculiaris componentis usus in processibus epitaxial semiconductoris fabricandis destinatis. Semicorex dedicatus est ut productos summos qualitates tradens in pretiis competitive. In Sinis societatem diu-terminum constituere cupimus.
Lege plusMitte InquisitionemSemicorex Tantalum Carbide Coating Guide Ring est elementum provectus specie semiconductoris industriae destinatus, munus cruciale in cristallum Siliconis (SiC) auctum ludens. Productum hoc machinatum est ad restrictionem postulatorum summus temperatus et summus accentus ambitus inhaerens in processibus cristalli semiconductoris incrementi. Semicorex committitur ad comparandas qualitates in pretiis competitive, exspectamus ut diuturnum tempus socium tuum in Sinis fieri expectamus*.
Lege plusMitte InquisitionemSemicorex Tantalum Carbide Coating Graphite Crucible elementum speciale destinatum est ad usum in industria semiconductoris, praesertim in cristallo Siliconis incremento (SiC). Hoc uasculum summus perficientur ob singularem materialem compositionem ac structuram designationem eminet, quod instrumentum in cristallo processuum provectum necessarium efficiens. Semicorex committitur ad comparandas qualitates productorum in pretia competitive, exspectamus ut diuturnum tempus particeps tua fiat in Sinis*.
Lege plusMitte InquisitionemSemicorex Tantalum Carbide Crucible crucial component in semiconductore industriae, specialiter ad crystallorum Siliconis incrementum (SiC) crystallorum destinata. Semicorex committitur ad comparandas qualitates in pretiis competitive, exspectamus ut diuturnum tempus socium tuum in Sinis fieri expectamus*.
Lege plusMitte Inquisitionem