Batch Wafer cymba

Semicorex laganum scaphas praebet, bases et laganum morem portantium utriusque verticalis / columnae et figurarum horizontalium. Fabrica et elit carbidi pii per multos annos cinematographico cinematographico fuimus. Nostra Batch Wafer cymba bonum pretium commodum habet et maxime mercatus Europae et Americanus est. Expectamus ad longum tempus socium in Sinis fieri.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex batch Wafer cymba facta est ex carbide ceramico materiae siliconis altae quali- tate resistentiae chemicae superior et stabilitatis scelerisque.
Nostra Batch Wafer cymba lenis superficiem metam habet et laganum optimum subsidium et tutelam in processu praebent. SiC efficiens uniformitatem ac stabilitatem in dispensando efficit, lagana a contagione et damno tutatur. Praeclaris conductivis scelerisque et mechanicis viribus superiores, laganum possessores nostri constantes et certos proventus praebent.
Manipulus peritorum noster committitur ut optimam qualitatem et servitium provideat. Consuetudinis consilia offerimus ad propria requisita tua occurrere, et nostrae laganae laganae scaphae a certa certitudine progressionis nostrae subnixae sunt.

Parametri Batch Wafer cymba

Technical Properties
Index	Unitas	Precium
Materia Nomen		Silicon Carbide reactionem Sintered	Silicon Carbide	Silicon Carbide recrystallized
Compositio		RBSiC	SSiC	R-SiC
Mole densitas	g/cm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Flexurae Fortitudo	MPa (kpsi)	338(49).	380(55) ;	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Compressive fortitudo	MPa (kpsi)	1120 (158)	3970 (560)	> 600
duritia	Button	2700	2800	/
Fractio Tenacity	MPa m1/2	4.5	4	/
Scelerisque Conductivity	W/m.k	95	120	23
Coefficiens Scelerisque Expansion	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Imprimis Caloris	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Max temperatus in aere	℃	1200	1500	1600
Modulus elasticus	Gpa	360	410	240

Discrimen inter SSiC et RBSiC;

1. Processus Sintering differt. RBSiC est liberum Si in carbidam Pii in temperatura infiltrare, SSiC reformatione naturali in 2100 graduum formatur.

2. SSiC superficiem leviorem, densitatem altiorem et vires superiores habent, ob signationes aliquas strictiores superficiei requisitas, SSiC melius erit.

3. Diversus usus temporis sub diversis PH et temperatus, SSiC est longior quam RBSiC

Features of Batch Wafer cymba

- High strength (Mohs hardness 9.5, second only to diamond);
- Corrosio resistentia acidis, alcali, salibus et organicis menstrua
- Maximum scelerisque conductivity, plasma resistentia, longa vita
- Semiconductors