CVD Sic iactaret superiorem locum annuli

CVD SiCanuli terrae superiores coated typice inaugurati sunt in regione superiori cubiculi reactionis in apparatu plasma-etching, laganum electrostaticum chuck circumdederunt. CVD SiC iactaret anulos terrae superiores vitales sunt ad systema totum etching, qui ut impedimentum physicum agere potest ut machinas ab oppugnatione plasmatis protegat et campum electricum internum componat ac plasma distributio circumcludat ut eventus uniformes engraving.

Plasma engraving est technologia arida etching in fabricandis semiconductoribus late adhibitis, quae operando inter plasma et superficies materiarum semiconductorium physicarum et chemicarum adhibitis ad specificas areas selective removendas, ita processus subtilitatis structurarum assequendo. In ambitu plasmatis etching, summus energia plasma flagitat corrosionem infestantium et impetus ad componentium intra cubiculum reactionem. Ut certa et efficax operatio, camerae partes optimam habere debent repugnantiam corrosionis, proprietates mechanicas, et notas contaminationis ignobiles. Semicorex CVD SiC iactaret anulos humi superiores perfecte designati sunt ad hos ambitus duros, altus corrosio operantis.

Reliable CVD SiC Coating

Ut melius in duris engraving condicionibus praestent, Semicorex CVD SiC iactaret anulos terrae superiores operiens magno opere CVD SiC vestis, quae ulterius observantiam et vetustatem augent.

1. ultra alta munditia

TheSic coatingfabricata per CVD processus notas praeclaras densificationis cum puritate ultra-altissima (puritatem excedunt 99.9999%), quae semicorex CVD SiC-coactata superiori loco annulos impedire potest ab impetu plasmatis altae industriae in applicationibus engraving, ita evitando contaminationem per immunditiam particulam matricis causatam.

2. Improved corrosio resistentia

SiC efficiens fabricata per CVD processum resistentiam praebet emendatam corrosionem, faciens Semicorex CVD SiC-coctantem anulos terrae superiores efficaciter sustinens a plasmate provocantem corrosionem (praesertim gasorum mordorum ut halogen et fluorinum).

Mechanica proprietatibus 3. Consectetur

Semicorex CVD SiC iactaret anulos humus superioris intensam plasma bombardarum, accentus mechanicas et frequentes sine deformatione aut fractura tractatio per diuturnum tempus muneris gratia auctam duritiem et resistentiam CVD SiC induunt tunicam.

Summus Latin processus et qualis inspectionem

Ad perfecte accommodare condiciones semiconductoris quaerenti etchingae, Semicorex CVD SiC-coctilis anuli superioris humus subtilitatem machinam et inspectionem strictiorem subeunt.

Curatio superficiei: politura subtilitas Ra < 0.1µm est; teres subtilitas stridor est Ra > 0.1µm

Processus subtilitas moderata intra ≤ 0.03 mm

Qualitas inspectio:

Semicorex solidus CVD SiC annuli ICP-MS subiciuntur (inductive iuncta plasma massae spectrometriae) analysis.Semicorex solidus CVD SiC annuli mensurae dimensivae subiectae sunt, resistivity temptationis et inspectionis visualis, praestans fructus a chippis, fricat, rimas, maculas et alios defectus liberas esse.