Semicorex est magna-scalarum fabrica et elit Siliconis Carbide Graphite in Sinis Coated. Nostrum MOCVD Inlet Sigillum Ringo magnum commodum habet et multa mercatus Europae et Americanae operit. Expectamus ad longum tempus socium decet.
Semicorex Silicon Carbide Coating MOCVD Inletre Sigillum Anulum altum est puritatis SiC graphite obductis, utens in depositione, laganum processum tractantem. SiC obductis MOCVD Inlete Sigillum Ringo altum calorem et corrosionem habet resistentiam, quae magnam stabilitatem in extrema ambitu habet.
Apud Semicorex nos intendunt ut summus qualitas, cost-efficax MOCVD Inlete Ringo Sigilli, prioritizamus satisfactio emptoris et solutiones sumptus efficaces praebemus. Expectamus ad longum tempus socium fieri, praecipuos qualitas products et eximias servitutis emptores tradens.
Parametri MOCVD Inlet Sigillum Ringuli
Specificationes principales de CVD-SIC Coating |
||
Sic-CVD Properties |
||
Crystal Structure |
FCC phase |
|
Densitas |
g/cm |
3.21 |
duritia |
Vickers duritia |
2500 |
Frumenti Size |
m |
2~10 |
Puritas chemica |
% |
99.99995 |
Calor Capacitas |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimatio Temperature |
℃ |
2700 |
Fortitudo Felix |
MPa (RT 4-punctum) |
415 |
Youngâ s Modulus |
Gpa (4pt bend, 1300â) |
430 |
Scelerisque Expansion (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Scelerisque conductivity |
(W/mK) |
300 |
Features of MOCVD Inlet Sigillum Ringo
Princeps puritatis SiC graphite linivit
Superior calor resistentia & scelerisque uniformitatem
Denique Sic crystal obductis ad superficiem levem
Princeps firmitatem contra chemica purgatio
Materia designata est ut rimas ac delaminationes non fiant.