In processu crescendi SiC et AlN singulae crystallis per modum transportandi vaporum physicorum (PVT), componentes ut uasculum, semen cristallum possessor et anulus ductor munus vitale exercent. In processu praeparationis SiC, semen crystallum in regione temperatura relative humili sita est, dum mat......
Lege plusSiC materia subiecta est nucleum Chiporum SiC. Productio processus subiecta est: adepta SIC crystallum per singula crystalli incrementa; deinde pa- SiC substrata requirit teres, rotunditas, secans, stridor (tenens); politio mechanica, chemica mechanica expolitio; et purgatio, probatio, processus etc
Lege plusCarbide Pii (SiC) materia est quae eximiam stabilitatem scelerisque, physicam et chemicam possidet, proprietates exhibens quae materias conventionales transcendunt. Eius scelerisque conductivity mirabilis est 84W/(m·K), quae non solum aere sed etiam ter silicone altior est. Hoc indicat enormem poten......
Lege plusIn campo semiconductoris fabricandi celeriter evolutionis, etiam minimae emendationes magnam differentiam facere possunt, cum ad meliorem effectum, diuturnitatem et efficientiam assequendum venit. Una progressio, quae multum vocales in industria generans est usus TaC (Tantalum Carbide) in superficie......
Lege plus