Semicorex fabrum semiconductor-gradus ceramicorum tuorum OEM instrumenta fabricandi semi- laganum tractantem componunt. Nostra Silicon Carbide Wafer cymba bonum pretium commodum habet et multas mercatus Europae et Americanae operit. Expectamus ad longum tempus socium in Sinis fieri.
Semicorex's Silicon Carbide Wafer cymba, altam puritatem (usque ad 99.99%), optimum plasma resistentiae et resistentiae caloris, et particulae strictae occurrentiae, in instrumentorum instrumentorum processui semiconductorium partibus, inter structuras et instrumenta structurarum incluso, adhibetur.
Apud Semicorex nos intendunt ut summus qualitas, sumptus efficens cymba Silicon Carbide Wafer, prioritize satisfactio emptoris et solutiones sumptus efficaces praebeamus. Expectamus ad longum tempus socium fieri, praecipuos qualitas products et eximias servitutis emptores tradens.
Contactus nos hodie ut plura de nostro Silicon Carbide Wafer cymba discamus.
Parametri Silicon Carbide Wafer cymba
Technical Properties |
||||
Index |
Unitas |
Precium |
||
Materia Nomen |
Silicon Carbide reactionem Sintered |
Silicon Carbide |
Silicon Carbide recrystallized |
|
Compositio |
RBSiC |
SSiC |
R-SiC |
|
Mole Density |
g/cm3 |
3 |
3.15 ± 0.03 |
2.60-2.70 |
Flexurae Fortitudo |
MPa (kpsi) |
338(49). |
380(55) ; |
80-90 (20°C) 90-100(1400°C) |
Compressive fortitudo |
MPa (kpsi) |
1120 (158) |
3970 (560) |
> 600 |
duritia |
Knoop |
2700 |
2800 |
/ |
Fractio Tenacity |
MPa m1/2 |
4.5 |
4 |
/ |
Scelerisque conductivity |
W/m.k |
95 |
120 |
23 |
Coefficiens Scelerisque Expansion |
10-6.1/°C |
5 |
4 |
4.7 |
Imprimis Caloris |
Joule/g 0k |
0.8 |
0.67 |
/ |
Max temperatus in aere |
℃ |
1200 |
1500 |
1600 |
Modulus elasticus |
Gpa |
360 |
410 |
240 |
Discrimen inter SSiC et RBSiC;
1. Processus Sintering alia est. RBSiC est liberum Si in carbidam Pii in temperatura infiltrare, SSiC reformatione naturali in 2100 graduum formatur.
2. SSiC superficiem leviorem, densitatem altiorem et vires superiores habent, ob signationes aliquas strictiore superficie requisitas, SSiC melius erit.
3. Diversus usus temporis sub diversis PH et temperatus, SSiC est longior quam RBSiC
Features of Silicon Carbide Wafer cymba
Superior calor resistentia & scelerisque uniformitatem
Denique Sic crystal obductis ad superficiem levem
Princeps firmitatem contra chemica purgatio
Materia designata est ut rimas ac delaminationes non fiant.