6 Inch N-type SiC Wafer

Semicorex varias praebet unctas 4H et 6H SiC. Fabrica et lagana multos annos fuimus. Nostra duplex-polita 6 Inch N-type SiC Wafer bonum pretium commodum habet et maxime mercatus Europae et Americanus tegunt. Expectamus ad longum tempus socium in Sinis fieri.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

Semicorex integram carbidam silicon (SiC) lagani productam lineam, inclusis 4H et 6H substratam cum N-typo, P-type et lagana semi-insulating alta puritatis, possunt esse cum vel sine epitaxy. Nostrum 4-inch N-type SiC (carbide pii) substrata est species lagani summus qualitas ex uno crystallo carbidi pii cum N-typo doping, quod duplex politum est.

6 Inch N-type SiC Wafer maxime adhibetur in novis vehiculis energiae, summus intentionis transmissionis et substationis, bona alba, impedimenta alta velocitatis, motores electrici, inverters photovoltaici, potentiae pulsus commeatus et alii agri, quae habent commoda instrumentorum minuendi. industria detrimentum, instrumentorum melioris firmitas, instrumentorum amplitudo minuens et instrumentorum melioris effectus, et commoda irreparabilia in electronicis artibus faciendis habent.

Items	Productio	Inquisitionis	phantasma
Crystal Parameters
Polytypus	4H
Superficiem sexualis errore	<11-20>4±0.15°
Electrical Parameters
Dopant	n-genus Nitrogenium
Resistentia	0.015-0.025ohm·cm
Mechanica Parameters
Diameter	150.0±0.2mm
Crassitudo	350±25 μm
Prima plana propensionis	[1-100]±5°
Prima plana longitudo	47.5±1.5mm
Secundarium plana	Nullus
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm(5mm*5mm)	≤5 μm(5mm*5mm)	≤10 μm(5mm*5mm)
Arcum	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Warp	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
Frons (Si-face) asperitas (AFM)	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Structure
Micropipe density	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Metallum immunditiae	≤5E10atoms/cm2		QUOD'
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	QUOD'
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	QUOD'
Ante Quality
Front	And
Superficiem metam	Si-face CMP
Particulas	≤60ea/laganum (size≥0.3μm)	QUOD'
Exasperat	≤5ea/mm. Cumulativo longitudo ≤Diameter	Cumulative length≤2*Diameter	QUOD'
Orange cortices / foveas / maculas / striations / rimas / contagione	Nullus		QUOD'
Ora eu / indents / fractura / hex p	Nullus
Polytypus areis	Nullus	Cumulativo area≤20%	Cumulativo area≤30%
Ante laser vestigium	Nullus
Back Quality
Retro metam	C-faciem CMP
Exasperat	≤5ea/mm,Cumulative length≤2*Diameter	QUOD'
Retro defectus (ore eu / indents)	Nullus
Retro asperitatem	Ra≤0.2nm (5μm*5μm)
Back laser notati	I mm (a summo ore)
Ore
Ore	Chamfer
Packaging
Packaging	Epi-paratum in vacuo packaging Multi laganum cassette packaging
*Nota "NA" nullum significat petitionem Items not mentioned may refer to SEMI-STD.