Explicatio 3C-SiC, notabilis polytypum carbidi pii, continuam progressionem scientiae materialis semiconductoris reddit. Annis 1980s, Nishino et al. primum effectum cinematographicum 4 µm crassum 3C-SiC in substratum siliconis utens depositione vaporum chemicorum (CVD) [1], fundamento technologiae 3......
Lege plusUnius Pii crystalli et pii polycrystallini singulae suas habent utilitates singulares et missiones applicabiles. Unius Pii cristallus electronicis productis et microelectronicis ob excellentes electricis et mechanicis proprietatibus suis praestantibus obeundos convenit. Pii Polycrystallinus, ex alte......
Lege plusIn praeparatione lagani duo nexus nuclei sunt: unus est praeparatio subiecta, alter exsecutio processus epitaxialis. Subiectum, laganum diligenter ex semiconductore unius materiae crystalli confectum, protinus in laganum processum fabricandi ut basis ad machinas semiconductores producendas, vel ad......
Lege plusMateria Pii solida materia est cum semiconductoribus quibusdam electricis proprietatibus et stabilitate corporis, et substratum subsidium praebet pro processu vestibulum processus integrato subsequenti. Materia praecipua est in gyros integros silicon-basi. Plus quam 95% machinarum semiconductorium e......
Lege plusPii carbide subiecta est semiconductor mixtus, una materia crystallina ex duobus elementis composita, carbonis et pii. Notas habet magnae bandgap, altae conductivity scelerisque, magnae vires agri naufragii critici, et altae electronicae satietatem egisse rate.
Lege plus